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• GaN材料的特性及其应用

  GaN材料的特性及其应用 - GaN材料的特性及其应用2008年10月27日GaN材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点，是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料，并与SIC、金刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。它具有宽的直接带

  收录日期：01月18日 网址分类：LED基础知识

• 三种LED衬底材料的比较

  三种LED衬底材料的比较 - 三种LED衬底材料的比较2008年10月27日gt对于制作LED芯片来说，衬底材料的选用是首要考虑的问题。应该采用哪种合适的衬底，需要根据设备和LED器件的要求进行选择。目前市面上一般有三种材料可作为衬底：　183蓝宝石（Al2O3）　183硅Si碳化

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• led灯带、led筒灯、led射灯的异同

  led灯带、led筒灯、led射灯的异同 - led灯带、led筒灯、led射灯的异同2008年10月30日以下内容来自网络，供参考。灯带就是吊顶时，四周发光的。正常人家考虑省电，都不要灯带，要是有条件，点亮灯带确实很漂亮啊！而LED灯带能解除大家这方面的顾虑，因为LED灯带是用LED发光，这样就使LED灯带的使用寿命加长了可以达到510万不

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• 从LED护栏管使用环境剖析其应具备的防护措施

  从LED护栏管使用环境剖析其应具备的防护措施 - 从LED护栏管使用环境剖析其应具备的防护措施2008年10月31日一、LED护栏管的行业质量状况　　照明行业的质保潜规则是照明产品的品质保用期均以一年期限为度据本人的市场调研结果，目前，行业内护栏管在保用期内的损坏率均在815之间居高不下，质量稳定性成了用户的最大的烦恼，如何解决

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• 普通日光灯与LED日光灯的区别

  普通日光灯与LED日光灯的区别 - 普通日光灯与LED日光灯的区别2008年10月31日1、普通日光灯：日光灯两端各有一灯丝，灯管内充有微量的氬和稀薄的汞蒸气，灯管内壁上涂有萤光粉，两个灯丝之间的气体导电时发出紫外线，使萤光粉发出柔和的可见光。日光灯工作特点：灯管开始点燃时需要一个高电压，正常发光时只允许通过不大的电流，这时灯管两端的

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• LED分光分色要点

  LED分光分色要点 - LED分光分色要点2008年10月31日近年来，LED应用产品尤其是半导体照明产品对大功率LED需求越来越旺，同时对LED的品质要求也越来越高，其主要表现在以下几个方面：1正向电压测试：正向电压的范围需在电路设计的许可范围内，很多客户设计驱动发光管点亮都以电压方式电量，正向电压大小直接会影响到电路

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• 第四代汽车光源：LED

  第四代汽车光源：LED - 第四代汽车光源：LED2008年10月31日现代汽车灯具结构越来越复杂、工艺越来越考究、功能越来越完善。汽车灯具的心臟是光源，汽车灯具的演变主要经歷了四个阶段，而第四代LED汽车光源的出现，对汽车灯具的变革影响深远。第一代汽车光源是由燃料蜡烛、煤油或乙炔直接燃烧发光，它能满足早期车灯的要求，但存

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• LED外延片(外延)的成长工艺

  LED外延片(外延)的成长工艺 - LED外延片外延的成长工艺2008年11月4日今天来探讨LED外延片的成长工艺，早期在小积体电路时代，每一个6吋的外延片上制作数以千计的芯片，现在次微米线宽的大型VLSI，每一个8吋的外延片上也只能完成一两百个大型芯片。外延片的制造虽动輒投资数百亿，但却是所有电子工业的基础。硅晶柱的长成，首先需

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• LED测试技术基本知识

  LED测试技术基本知识 - LED测试技术基本知识2008年11月11日【正向电压】通过发光二极管的正向电流为确定值时，在两极间产生的电压降。　　【反向电流】加在发光二极管两端的反向电压为确定值时，流过发光二极管的电流。　　【峰值波长】光谱辐射功率最大的波长。　　【半强度角】在发光（或辐射）强度分布中，发光（或辐射）

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• 芯片封装技术介绍

  芯片封装技术介绍 - 芯片封装技术介绍2008年11月11日一DIP双列直插式封装　　DIPDualIn－linePackage是指采用双列直插形式封装的集成电路芯片，绝大多数中小规模集成电路IC均采用这种封装形式，其引脚数一般不超过100个。采用DIP封装的CPU芯片有两排引脚，需要插入到具有DIP结

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